|
您現(xiàn)在的位置: 武漢普賽斯儀表有限公司 > 供應(yīng)信息> 大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀6000A/3500V |
|
|
|
發(fā)布時(shí)間: |
2025/1/10 11:08:00 |
|
|
|
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀6000A/3500V 詳細(xì)說(shuō)明 |
|
|
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀6000A/3500V簡(jiǎn)介
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、nA級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊,模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法 靈活,方便用戶(hù)添加或升級(jí)測(cè)量模塊,適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。詳詢(xún)一八一四零六六三四七六
系統(tǒng)組成
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線(xiàn)、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī),內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專(zhuān)用上位機(jī)測(cè)試軟件,可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿(mǎn)足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線(xiàn)。此外,測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用,實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿(mǎn)足高低溫測(cè)試需求。
測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,~大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試,可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流;集電極-發(fā)射極,~大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時(shí)間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;~高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測(cè)量功能。電容特性測(cè)試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測(cè)試,頻率~高支持1MHz。
系統(tǒng)特點(diǎn)
高電壓:支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試(Z大擴(kuò)展至10kV); 大電流:支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試(多模塊并聯(lián)); 高精度:支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試; 豐富模板:內(nèi)置豐富的測(cè)試模板,方便用戶(hù)快速配置測(cè)試參數(shù); 配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能; 數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出; 模塊化設(shè)計(jì):內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),可自由配置,方便維護(hù); 可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度; 可定制開(kāi)發(fā):可根據(jù)用戶(hù)測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā); 測(cè)試項(xiàng)目 集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat 集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges 柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th) 輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容 續(xù)流二極管壓降Vf I-V特性曲線(xiàn)掃描,C-V特性曲線(xiàn)掃描等
大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀6000A/3500V測(cè)試夾具
針對(duì)市面上不同封裝類(lèi)型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供
整套測(cè)試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。
本產(chǎn)品網(wǎng)址:http://keancrafts.com/sjshow_507782484/ 手機(jī)版網(wǎng)址:http://m.vooec.com/trade_507782484.html 產(chǎn)品名稱(chēng):大功率IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀6000A/3500V |
|
|
|
|
|
|
陶女士 女士 市場(chǎng)專(zhuān)員 |
|
|
|
電 話(huà): |
86-027-87993690 |
傳 真: |
86-- |
手 機(jī): |
18140663476 |
地 址: |
東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)光谷大道308號(hào)光谷動(dòng)力節(jié)能環(huán)保產(chǎn)業(yè)園8棟2樓 |
網(wǎng) 址: |
http://whpssins.cn.vooec.com |
郵 編: |
|
|
|
|
|
|
|
|